Электроника и микросхемотехника. Сборник задач [Виталий Иванович Сенько] (pdf) читать постранично

_____ 8. А.Скаржепа _ _ __
В.И.Сенько

СБОРНИК

ЗАДАЧ

Под общей редакцией
доктора

технических

наук,

профессора

А. А. КРАСНОПРОШИНОй

Допущено Государственным
комитетом СССР
по народному образованию
в качестве уч(;БНОZ{J пособия
для студеli7'ов вузов.
обучающихся ПО специальности

«ABTOJJt~TU,Ka
в

и

техни ческuх

управление
cиCTeMax~

.. ? ' >,: . 1 !: .'

;:

~al (~,/; .i-!!;-

~~

С.,

t\"::- '~.- ...;.":' .;,~..;..&,"'

ЮIF.Р


{/III -

RH

н

открыт

полностью

RH :

нагрузки

И;;-ЫХ = Ит R
I !JI'

В первом случае диод

2.4.

lIоложительной полуволны напря>кения, которое практически

+R

- ~ Ит ,

пр

максимальная амплитуда входного синусоидального напряжения;

IIj1HMoe

сопротивление диода.

15

Если
ется,

и

на

входе действует

напряжение

на

И;;'IХ
где

диод

параллельном

VD

полуволна

и нх ,

диод закрыва­

составит

= ит

Rп

Rн + R06р ;::: О,

сопротивление закрытого диода.

R06p В

отрицательная

выходе

ключе (рис.

2.4,

б) при положительной

полуволне

и ВХ

открыт и шунтирует сопротивление нагрузки. Напряжение на выхо­

де

и;;ых = ит R

R пр

пр

Как правило, Rorp
При

» R пр

отрицательной

+R

огр

и иt,IХ = О.

полуволне

И нх диод закрыт и напряже!ше на выходе

RH

И;'lх=Иm R +R
н

=И m ,

огр

так как R п » R orp '
Комбинируя
диодных

различные

включения

диодов

и

ключей переменного тока, можно получить

сопротивлений
различные

в

схемах

формы

и

ам­

плитуды напряжений на выходе. В частности, ключи рис. 2.4 составляют
основу для построения диодных ограничителей.
Существенное влияние на работу ключей рис. 2.4 при управлении прямо­
угольными

двухполярными

межэлектродная

емкость

импульсами

Сд

и

емкость

оказывают

паразитные

Си, состоящая из емкости

и емкости монтажа. Они приводят к появлению сигнала помехи
даже при закрытом диоде и искажению фронтов импульса.
Для схемы рис. 2.4, а

емкости:

нагрузки
на

выходе

и пом тах ~ Ит С Д + СО '
где Иm -амплитуда входных импульсов;

{: = 2,3 (Сд + Со) R пр '
tф" = 2,3 (С д + Со) R п .
Для схемы рис.2.4, б

Напряжение помехи в этой схеме отсутствует, так как диод включен парал·
Лельно
н и его емкость суммируется с выходной емкостью схемы .

R

. •j

Дополнительные теоретические

ведены

в

работах

ЗАДАЧИ

2.1.

Задана

сведения

и

расчетные соотношения

при'

[I9, 21, 22].

схема

=

И

УПРАЖНЕНИЯ

диодного

ключа

=

(рис.

2.2,

а). Параметры

элементов схемы R
1 кОм, RHH 0,1 кОм, RH = 00, СП = О.
Диод полагать идеальным, т. е. его прямое сопротивл('ние R пр = О,

=

обратное Rобр
00,
остаточное падение напряжения на диоде
U ОСТ
О. Напряжение источника Е = 1,5 В. Определите напряже­
ние И вых при: а) И вх
5 В; б) и ВХ = -5 В.

=

=

16

Задана схема диодного КJJюча фИG. 2.2, а). Параметры элеме­
1 кОм, RBH=O,l кОм, RH=lKOM, Сн=О. Диод полагать
идеальным, т. е. Rпр = О, Rо бр = 00, И ост = О. Напряжение источ­
ника Е = -1,5 В. Определите Ивых прю а) И вх
5 В; б) И вх

2.2.

IITOB схемы

R=

=

В.

=-5

В схеме диодного ключа (рис.

2.3.

папряжение

логического

поступлении

на

нуля

О
И ВЫХ

И

2.2,

=

а) определите выходное
•

логическои

единицы

и!

вых при

вход соответствующих входных напряжений логи-

ческого нуля И~х = О и логической единицы И~х = 5 В. Параметры
схемы

кОм,

RBH = 0,1

Си

RH = 1

О,

=

кОм, Е

=

О. Диод считать

идеальным.

Определите

2.4.
схеме

рис.

2.2,

минимальное

значение

сопротивления

RH

в

а для обеспечения минимального входного наfIРЯ­

жения логической единицы ИВ!ЫХ = 4,5 В при И~х

= 5 В, RBH =
100 Ом, Е = 1 В, R = 1 кОм. Диод считать идеальным.
2.5. Определите влияние сопротивления нагрузки RH на ~наче·
lIие выходного напряжения в схеме рис. 2.2 при RBH = О И при:
=

а) И ВХ > Е; б) И вх

2.6.
альные

На

вход

<

Е.

диодного ключа рио.

сигналы

положительной

а поступают потенци­

2.2,

полярности,

характеризу~мые

IIИ3КИМ И~х и высоким И~" уровнями. Какой из режимов работы
I(люча (И~х < Е, И~х > Е u~x = Е) характеризуется минима"~ьным
Iютреблением мощности от источника питания и минимальным за­
туханием BXOAHOIO сигнала?

2.7. В схеме рио. 2.2,
R пр
О, RоБР
200 кОм, Е
б) И вх = -5 В.

=

=

а

= О, R = RH = 2 кОм, Си = О,
Определите И вх при: а) Ивх = 5 В;

RBH

= 2 В.

2.8. В схеме диодного ключа (рис. 2.2, а) параметры имеют зна­
R = RH = 1 кОм, Си = О, Е = 3 В. Определите диапазон